資深長(zhǎng)晶工程師
30000元以上
無(wú)錫
應(yīng)屆畢業(yè)生
碩士
無(wú)錫
應(yīng)屆畢業(yè)生
碩士
- 全勤獎(jiǎng)
- 節(jié)日福利
- 不加班
- 周末雙休
職位描述
該職位還未進(jìn)行加V認(rèn)證,請(qǐng)仔細(xì)了解后再進(jìn)行投遞!
主要職責(zé):
1、負(fù)責(zé)把控碳化硅晶體生長(zhǎng)工藝,優(yōu)化工藝參數(shù),保證長(zhǎng)晶設(shè)備的正常操作運(yùn)行;
2、負(fù)責(zé)測(cè)試及分析樣品的基本物理特性,通過(guò)調(diào)節(jié)工藝參數(shù)、優(yōu)化晶體物理性質(zhì);
3、負(fù)責(zé)長(zhǎng)晶過(guò)程控制和失效分析,完成設(shè)備故障處理及標(biāo)準(zhǔn)化操作流程;
4、負(fù)責(zé)并完成公司的研發(fā)項(xiàng)目,參與客戶及商業(yè)合作伙伴的合作與溝通;
5、負(fù)責(zé)開(kāi)發(fā)新工藝、新技術(shù),并進(jìn)行長(zhǎng)晶團(tuán)隊(duì)的搭建和人才培養(yǎng)。
任職要求:
1、具備電子、物理、材料或半導(dǎo)體等相關(guān)專業(yè)碩士及以上學(xué)歷;
2、擁有資深的第三代半導(dǎo)體碳化硅SIC晶體生長(zhǎng)經(jīng)驗(yàn),對(duì)碳化硅SIC晶體的生長(zhǎng)工藝、外延、器件物理、材料特性表征及DOE (Design of Experiment)方面具有較深厚的知識(shí)儲(chǔ)備;
3、有半導(dǎo)體制造行業(yè)及潔凈室經(jīng)驗(yàn),具備新材料及新產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)、轉(zhuǎn)化生產(chǎn)等能力;
4、工作責(zé)任心強(qiáng),具領(lǐng)導(dǎo)潛質(zhì),具有良好的組織領(lǐng)導(dǎo)能力,對(duì)外能勝任與客戶及商業(yè)合作伙伴的溝通與協(xié)調(diào);
5、有真空、CVD (Chemical Vapor Deposition)鍍膜工藝基本知識(shí),具備氮化鎵外延工藝及設(shè)備的調(diào)試實(shí)習(xí)者優(yōu)先。
1、負(fù)責(zé)把控碳化硅晶體生長(zhǎng)工藝,優(yōu)化工藝參數(shù),保證長(zhǎng)晶設(shè)備的正常操作運(yùn)行;
2、負(fù)責(zé)測(cè)試及分析樣品的基本物理特性,通過(guò)調(diào)節(jié)工藝參數(shù)、優(yōu)化晶體物理性質(zhì);
3、負(fù)責(zé)長(zhǎng)晶過(guò)程控制和失效分析,完成設(shè)備故障處理及標(biāo)準(zhǔn)化操作流程;
4、負(fù)責(zé)并完成公司的研發(fā)項(xiàng)目,參與客戶及商業(yè)合作伙伴的合作與溝通;
5、負(fù)責(zé)開(kāi)發(fā)新工藝、新技術(shù),并進(jìn)行長(zhǎng)晶團(tuán)隊(duì)的搭建和人才培養(yǎng)。
任職要求:
1、具備電子、物理、材料或半導(dǎo)體等相關(guān)專業(yè)碩士及以上學(xué)歷;
2、擁有資深的第三代半導(dǎo)體碳化硅SIC晶體生長(zhǎng)經(jīng)驗(yàn),對(duì)碳化硅SIC晶體的生長(zhǎng)工藝、外延、器件物理、材料特性表征及DOE (Design of Experiment)方面具有較深厚的知識(shí)儲(chǔ)備;
3、有半導(dǎo)體制造行業(yè)及潔凈室經(jīng)驗(yàn),具備新材料及新產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)、轉(zhuǎn)化生產(chǎn)等能力;
4、工作責(zé)任心強(qiáng),具領(lǐng)導(dǎo)潛質(zhì),具有良好的組織領(lǐng)導(dǎo)能力,對(duì)外能勝任與客戶及商業(yè)合作伙伴的溝通與協(xié)調(diào);
5、有真空、CVD (Chemical Vapor Deposition)鍍膜工藝基本知識(shí),具備氮化鎵外延工藝及設(shè)備的調(diào)試實(shí)習(xí)者優(yōu)先。
工作地點(diǎn)
地址:無(wú)錫江陰市江蘇孚爾姆焊業(yè)股份有限公司臨港街道申泰路11號(hào)
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職位發(fā)布者
HR
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