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一、崗位要求 學(xué)歷：本科及以上；專業(yè)：微電子、電子工程、光電信息、材料科學(xué)與工程等相關(guān)專業(yè)；年齡：40歲以內(nèi)；性別：不限； 能力： 1.可熟練使用Office辦公軟件，以及半導(dǎo)體工藝相關(guān)的工藝仿真/數(shù)據(jù)分析工具； 2.熟悉等離子體清洗機、烘箱、熱板、顯微鏡（金相/SEM）、臺階儀、表面輪廓儀等工藝與測試設(shè)備； 3.具備良好的英文讀寫能力，可閱讀工藝文檔、設(shè)備手冊與材料Datasheet； 4.了解半導(dǎo)體MEMS工藝基礎(chǔ)，熟悉光刻、固化、灰化、濕法刻蝕等PI相關(guān)工藝流程。 優(yōu)先條件： 1.有非制冷紅外探測器、VOx/InfraredMEMS芯片PI膠釋放/去除工藝開發(fā)經(jīng)驗； 2.熟悉等離子體灰化（O?/N?/O?/Ar）工藝參數(shù)優(yōu)化，具備低損傷、高均勻性工藝開發(fā)經(jīng)驗； 3.了解PI材料特性（固化工藝、熱分解溫度、放氣特性），以及工藝對芯片性能（電阻、應(yīng)力、良率）的影響； 4.有DOE實驗設(shè)計、工藝驗證與良率提升經(jīng)驗，具備工藝異常分析與閉環(huán)解決能力。 二、崗位職責(zé) 1.負責(zé)非制冷紅外探測器芯片PI層釋放工藝的開發(fā)、優(yōu)化與量產(chǎn)導(dǎo)入，包括干法等離子體灰化、濕法輔助去除等工藝方案設(shè)計與評審； 2.主導(dǎo)PI釋放工藝的問題定位與閉環(huán)解決，包括殘膠去除不凈、芯片損傷、微橋開裂、電極氧化、性能漂移等工藝失效問題； 3.協(xié)助完成工藝方案評估、設(shè)備選型、工藝窗口驗證與參數(shù)固化，建立PI釋放工藝的標準作業(yè)指導(dǎo)書（SOP）； 4.收集量產(chǎn)工藝數(shù)據(jù)，整理典型失效模式與問題案例，形成工藝知識庫，支撐工藝持續(xù)改進與良率提升； 5.設(shè)計并執(zhí)行DOE驗證實驗（如溫度、功率、氣體配比、時間、壓力對去膠速率與芯片性能的影響），分析數(shù)據(jù)并輸出工藝優(yōu)化方案； 6.撰寫工藝開發(fā)報告、驗證報告、變更申請等文檔，支撐工藝轉(zhuǎn)量產(chǎn)與客戶項目導(dǎo)入； 7.配合設(shè)備、材料與產(chǎn)線團隊，完成工藝試產(chǎn)、設(shè)備調(diào)試與人員培訓(xùn)，保障量產(chǎn)工藝穩(wěn)定運行。