測(cè)試工程師(J10234)
面議
3年以上
本科
3年以上
本科
- 全勤獎(jiǎng)
- 節(jié)日福利
- 不加班
- 周末雙休
職位描述
該職位信息待核驗(yàn),請(qǐng)仔細(xì)了解后再進(jìn)行投遞!
工作職責(zé):
1、設(shè)備與系統(tǒng)管理: 負(fù)責(zé)關(guān)鍵測(cè)試設(shè)備(如:動(dòng)態(tài)/靜態(tài)測(cè)試儀、雙脈沖測(cè)試臺(tái)、熱阻測(cè)試儀、雪崩測(cè)試儀、曲線(xiàn)追蹤測(cè)試儀)的操作、校準(zhǔn)、維護(hù)和有效性驗(yàn)證。
2、測(cè)試執(zhí)行:按制定測(cè)試的方案完成器件特性表征(如輸出特性、轉(zhuǎn)移特性、電容特性、開(kāi)關(guān)損耗、反向恢復(fù))、極限參數(shù)驗(yàn)證(如SOA安全工作區(qū)、短路)及全溫度范圍測(cè)試;
3、數(shù)據(jù)整理:對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行最終技術(shù)審核,確保測(cè)試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性與可追溯性,形成專(zhuān)業(yè)、規(guī)范的測(cè)試報(bào)告,并搭建完善的測(cè)試數(shù)據(jù)庫(kù),實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)留存與復(fù)用;
4、跨部門(mén)協(xié)同: 作為測(cè)試技術(shù)接口,與芯片設(shè)計(jì)、封裝研發(fā)、產(chǎn)品研發(fā)等部門(mén)緊密協(xié)作,形成高效閉環(huán)。
5、測(cè)試優(yōu)化與知識(shí)沉淀:關(guān)注測(cè)試相關(guān)問(wèn)題,協(xié)助測(cè)試主管開(kāi)展測(cè)試優(yōu)化相關(guān)工作;總結(jié)測(cè)試過(guò)程中的經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn),參與測(cè)試相關(guān)知識(shí)庫(kù)搭建,配合開(kāi)展團(tuán)隊(duì)內(nèi)部專(zhuān)業(yè)知識(shí)分享。
任職資格:
A. 教育背景與經(jīng)驗(yàn):
1、本科及以上學(xué)歷,微電子、電力電子、半導(dǎo)體物理等相關(guān)專(zhuān)業(yè);
2、有2年以上功率半導(dǎo)體器件測(cè)試工作經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先考慮,熟悉功率器件(MOSFET/IGBT/SiC/GaN寬禁帶器件優(yōu)先)靜態(tài)/動(dòng)態(tài)參數(shù)、短路特性、熱特性測(cè)試者優(yōu)先;
3、有在功率半導(dǎo)體IDM、Fab廠(chǎng)、設(shè)計(jì)公司或***測(cè)試實(shí)驗(yàn)室工作經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先;
B. 核心技術(shù)能力:
1、深厚的器件知識(shí): 深刻理解功率半導(dǎo)體器件(特別是MOSFET、IGBT、寬禁帶器件)的物理原理、特性曲線(xiàn)、關(guān)鍵參數(shù)意義。
2、精通專(zhuān)業(yè)測(cè)試:精通雙脈沖測(cè)試、熱阻測(cè)試、動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試、特性曲線(xiàn)、雪崩測(cè)試、SOA等極限參數(shù)測(cè)試原理;
3、精通關(guān)鍵測(cè)試設(shè)備的操作、校準(zhǔn)與維護(hù);
1、設(shè)備與系統(tǒng)管理: 負(fù)責(zé)關(guān)鍵測(cè)試設(shè)備(如:動(dòng)態(tài)/靜態(tài)測(cè)試儀、雙脈沖測(cè)試臺(tái)、熱阻測(cè)試儀、雪崩測(cè)試儀、曲線(xiàn)追蹤測(cè)試儀)的操作、校準(zhǔn)、維護(hù)和有效性驗(yàn)證。
2、測(cè)試執(zhí)行:按制定測(cè)試的方案完成器件特性表征(如輸出特性、轉(zhuǎn)移特性、電容特性、開(kāi)關(guān)損耗、反向恢復(fù))、極限參數(shù)驗(yàn)證(如SOA安全工作區(qū)、短路)及全溫度范圍測(cè)試;
3、數(shù)據(jù)整理:對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行最終技術(shù)審核,確保測(cè)試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性與可追溯性,形成專(zhuān)業(yè)、規(guī)范的測(cè)試報(bào)告,并搭建完善的測(cè)試數(shù)據(jù)庫(kù),實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)留存與復(fù)用;
4、跨部門(mén)協(xié)同: 作為測(cè)試技術(shù)接口,與芯片設(shè)計(jì)、封裝研發(fā)、產(chǎn)品研發(fā)等部門(mén)緊密協(xié)作,形成高效閉環(huán)。
5、測(cè)試優(yōu)化與知識(shí)沉淀:關(guān)注測(cè)試相關(guān)問(wèn)題,協(xié)助測(cè)試主管開(kāi)展測(cè)試優(yōu)化相關(guān)工作;總結(jié)測(cè)試過(guò)程中的經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn),參與測(cè)試相關(guān)知識(shí)庫(kù)搭建,配合開(kāi)展團(tuán)隊(duì)內(nèi)部專(zhuān)業(yè)知識(shí)分享。
任職資格:
A. 教育背景與經(jīng)驗(yàn):
1、本科及以上學(xué)歷,微電子、電力電子、半導(dǎo)體物理等相關(guān)專(zhuān)業(yè);
2、有2年以上功率半導(dǎo)體器件測(cè)試工作經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先考慮,熟悉功率器件(MOSFET/IGBT/SiC/GaN寬禁帶器件優(yōu)先)靜態(tài)/動(dòng)態(tài)參數(shù)、短路特性、熱特性測(cè)試者優(yōu)先;
3、有在功率半導(dǎo)體IDM、Fab廠(chǎng)、設(shè)計(jì)公司或***測(cè)試實(shí)驗(yàn)室工作經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先;
B. 核心技術(shù)能力:
1、深厚的器件知識(shí): 深刻理解功率半導(dǎo)體器件(特別是MOSFET、IGBT、寬禁帶器件)的物理原理、特性曲線(xiàn)、關(guān)鍵參數(shù)意義。
2、精通專(zhuān)業(yè)測(cè)試:精通雙脈沖測(cè)試、熱阻測(cè)試、動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試、特性曲線(xiàn)、雪崩測(cè)試、SOA等極限參數(shù)測(cè)試原理;
3、精通關(guān)鍵測(cè)試設(shè)備的操作、校準(zhǔn)與維護(hù);
工作地點(diǎn)
地址:禮潔路20號(hào)
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詳細(xì)位置,可以參考上方地址信息
求職提示:用人單位發(fā)布虛假招聘信息,或以任何名義向求職者收取財(cái)物(如體檢費(fèi)、置裝費(fèi)、押金、服裝費(fèi)、培訓(xùn)費(fèi)、身份證、畢業(yè)證等),均涉嫌違法,請(qǐng)求職者務(wù)必提高警惕。
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2026-04-07 02:59:30
1044人關(guān)注
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