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任職要求
1、年限要求:5年以上化合物半導(dǎo)體晶體材料生長(zhǎng)或研究經(jīng)驗(yàn);
2、專(zhuān)業(yè)要求:材料科學(xué)與工程、材料化學(xué)、高分子材料與工程、化工工藝、物理、機(jī)械類(lèi)、半導(dǎo)體等專(zhuān)業(yè)本科以上學(xué)位優(yōu)先;
3、擁有豐富的襯底晶片生長(zhǎng)經(jīng)驗(yàn)( InP產(chǎn)品生長(zhǎng)經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先)，對(duì)VGF，VB，CZ等方法擁有宏觀的把控，了解行業(yè)***的晶體生產(chǎn)企業(yè)生長(zhǎng)工藝(包括半導(dǎo)體、半絕緣產(chǎn)品的)，并能夠?qū)氘a(chǎn)線量產(chǎn);
4、可以主導(dǎo)磷化銦單晶生長(zhǎng)工藝改進(jìn)優(yōu)化，解決客戶問(wèn)題。
5、了解半導(dǎo)體晶體、襯底及外延相關(guān)的理論知識(shí)，可以用于分析并解決客戶問(wèn)題;
6、擁有生產(chǎn)問(wèn)題、客訴問(wèn)題解決經(jīng)驗(yàn)，主導(dǎo)解決多種技術(shù)困難、客訴問(wèn)題等?？梢灾笇?dǎo)單晶品質(zhì)及成品率的提升改進(jìn)工作;
7、熟悉InP單晶生長(zhǎng)設(shè)備；
8、擁有相關(guān)領(lǐng)域的發(fā)明專(zhuān)利、論文等。(優(yōu)先條件)
9、碩士及以上學(xué)歷優(yōu)先。
有在SEI、AXT、云鍺、鼎泰做過(guò)InP單晶生長(zhǎng)工藝或生產(chǎn)管理的可以放寬學(xué)歷要求
工作職責(zé):
1、組織人員在部門(mén)內(nèi)部實(shí)施相關(guān)技術(shù)改進(jìn)試驗(yàn)，整理分析相關(guān)試驗(yàn)數(shù)據(jù)；
2、負(fù)責(zé)制定晶體生長(zhǎng)研發(fā)試驗(yàn)方案，主導(dǎo)實(shí)施晶體生長(zhǎng)研發(fā)工作；
3、負(fù)責(zé)晶體相關(guān)的新產(chǎn)品、新工藝導(dǎo)入生產(chǎn)時(shí)的工藝流程設(shè)計(jì)、技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)確定及工藝文件編制；
4、負(fù)責(zé)涉及相關(guān)產(chǎn)品的新技術(shù)引進(jìn)和技術(shù)開(kāi)發(fā)等工作，在車(chē)間內(nèi)部推廣試驗(yàn)新工藝新技術(shù)，據(jù)此推進(jìn)公司產(chǎn)品的技術(shù)創(chuàng)新；
5、抓好車(chē)間技術(shù)隊(duì)伍建設(shè)，做好操作人員的技術(shù)培訓(xùn)和技能考核工作；
6、負(fù)責(zé)完成技術(shù)成果保護(hù)、保密工作，完成年度修昂木專(zhuān)利任務(wù)，并對(duì)核心技術(shù)進(jìn)行技術(shù)保護(hù)；
7、具體指導(dǎo)、處理、協(xié)調(diào)和解決車(chē)間生產(chǎn)中出現(xiàn)的技術(shù)問(wèn)題的能力，可為車(chē)間各項(xiàng)工作提供技術(shù)和管理支持；
8、做好相關(guān)行業(yè)技術(shù)信息的定期搜集、整理并做分析，每月形成一份技術(shù)資料檢索報(bào)告；
9、參與不合格品和質(zhì)量事故的評(píng)估記錄、根據(jù)質(zhì)量事故記錄提出整改意見(jiàn)，協(xié)助主管制定整改方案；
10、認(rèn)真貫徹執(zhí)行QEHSFIP管理體系并有效實(shí)施與運(yùn)作；
11﹑公司上級(jí)領(lǐng)導(dǎo)交代的其他臨時(shí)工作任務(wù)。
注：崗位8小時(shí)雙休 入職繳納五險(xiǎn)一金 提供住宿包三餐