依托中國(guó)科學(xué)院納米所組建的半導(dǎo)體顯示材料與芯片重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室2024年獲批成立，聚焦半導(dǎo)體顯示材料缺陷密度高、芯片能效低等基礎(chǔ)科學(xué)問(wèn)題，開(kāi)展關(guān)鍵材料、核心器件與集成芯片的創(chuàng)新研究，突破高質(zhì)量材料生長(zhǎng)與高性能芯片制備的關(guān)鍵技術(shù)，集聚一支由戰(zhàn)略科學(xué)家、青年學(xué)術(shù)帶頭人等組成的科技創(chuàng)新隊(duì)伍，目標(biāo)產(chǎn)出一批原創(chuàng)性科技成果，推動(dòng)科技成果的轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化，著力建設(shè)成半導(dǎo)體顯示材料與芯片領(lǐng)域創(chuàng)新高地。

　　一、重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的主要研究方向

　　1.高質(zhì)量半導(dǎo)體光電材料

　　（GaN等III族氮化物半導(dǎo)體材料、GaAs等III-V族化合物半導(dǎo)體材料外延生長(zhǎng)與測(cè)試表征）

　　2.高能效紅綠藍(lán)微納光電器件

　　（GaN基、GaAs基化合物半導(dǎo)體光電器件制備，以及器件結(jié)溫與熱阻測(cè)試表征和散熱研究）

　　3.半導(dǎo)體顯示多維度調(diào)制器件

　?。〝?shù)字微鏡器件DMD、MEMS微振鏡、超表面光場(chǎng)調(diào)控、微納光柵、光波導(dǎo)、驅(qū)動(dòng)調(diào)制器件）

　　4.高性能半導(dǎo)體顯示集成芯片

　?。す怙@示、Micro-LED大屏顯示及XR微顯示、全息顯示、透明/柔性顯示等新型顯示驅(qū)動(dòng)芯片及其集成微系統(tǒng)）

　　二、招聘研究崗位

　　招聘崗位的研究方向：

　　III族氮化物半導(dǎo)體外延材料生長(zhǎng)及表征

　　Micro-LED器件制備

　　半導(dǎo)體（邊發(fā)射、面發(fā)射）激光器制備

　　半導(dǎo)體光電器件的熱管理

　　半導(dǎo)體激光器可靠性及失效分析

　　超表面與微納光柵

　　AR光波導(dǎo)

　　微納光學(xué)仿真

　　半導(dǎo)體顯示驅(qū)動(dòng)與集成技術(shù)

　　AI與半導(dǎo)體顯示融合

　　崗位1：副高及以上人才8-10人

　　根據(jù)研究所高層次人才招聘啟事，招聘電子信息領(lǐng)域的高層次研究人員，具體各級(jí)人才政策詳見(jiàn)研究所高層次人才招聘啟事（請(qǐng)點(diǎn)擊鏈接查看）。

　　1．崗位要求：

　　1)理學(xué)或工學(xué)博士畢業(yè)，具有電子信息、物理、光學(xué)、材料等相關(guān)專業(yè)背景；

　　2)在國(guó)內(nèi)外著名高校、研究機(jī)構(gòu)有2年及以上的工作經(jīng)歷，有主持科研項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先；

　　3)負(fù)責(zé)圍繞重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主攻方向開(kāi)展有組織的基礎(chǔ)研究，組織推進(jìn)科研項(xiàng)目實(shí)施，并做出重要成果；

　　4)具有獨(dú)立承擔(dān)科研工作的能力，具有較好的英文閱讀、寫(xiě)作能力，在本領(lǐng)域知名國(guó)際刊物上發(fā)表過(guò)學(xué)術(shù)論文；

　　5)具有較好的學(xué)習(xí)能力和團(tuán)隊(duì)合作精神，具有較強(qiáng)的溝通協(xié)調(diào)和組織能力。

　　崗位2：博士后（特別研究助理）人才10-15名

　　1．崗位要求：

　　1)申請(qǐng)人獲得博士學(xué)位3年以內(nèi)，具有電子信息、物理、光學(xué)、材料等相關(guān)專業(yè)背景，年齡一般不超過(guò)35周歲；

　　2)能夠圍繞重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主攻方向開(kāi)展有組織的基礎(chǔ)研究，能夠獨(dú)立從事相關(guān)科研實(shí)驗(yàn)；

　　3)具有良好的英文閱讀、寫(xiě)作能力；

　　4)具有良好的學(xué)術(shù)道德，嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目蒲凶黠L(fēng)和科學(xué)、求實(shí)、團(tuán)結(jié)、協(xié)作的精神。

　　2．固定薪酬：

　　博士后在站期間，固定薪酬28萬(wàn)起，特別優(yōu)秀者固定薪酬58萬(wàn)起，另加獎(jiǎng)勵(lì)績(jī)效。

　　3．可爭(zhēng)取的個(gè)人補(bǔ)貼：

　　1)入選省卓越博士后計(jì)劃，可獲得50萬(wàn)元/30萬(wàn)元/20萬(wàn)元人才津貼。

　　2)入選博新計(jì)劃，可獲得32萬(wàn)元生活補(bǔ)貼。

　　3)入選中國(guó)科學(xué)院特別研究助理資助項(xiàng)目或研究所優(yōu)秀博士后計(jì)劃，可獲得12萬(wàn)元人才津貼。

　　4)獲得中國(guó)博士后科學(xué)基金面上資助和特別資助（項(xiàng)目經(jīng)費(fèi)8-18萬(wàn)元），分別給予2萬(wàn)元、5萬(wàn)元補(bǔ)貼。

　　4．待遇福利：

　　在站期間可參加副高級(jí)崗位晉升，通過(guò)評(píng)審可聘為副高級(jí)崗位（入編）；可申請(qǐng)各類科研項(xiàng)目；可獲得公派出國(guó)深造的機(jī)會(huì)；同時(shí)享有人才優(yōu)購(gòu)（公積金貸款2-3倍）、協(xié)助子女入學(xué)等待遇；出站留蘇30萬(wàn)元安家補(bǔ)貼。

　　三、招聘支撐崗位

　　崗位1：化合物半導(dǎo)體材料外延生長(zhǎng)與測(cè)試表征工程師1-2名

　　崗位2：Micro-LED光電測(cè)試表征工程師1-2名

　　崗位3：半導(dǎo)體激光器結(jié)溫與熱阻測(cè)試表征工程師1-2名

　　崗位4：半導(dǎo)體激光器壽命測(cè)試與失效分析工程師1-2名

　　1．崗位要求：

　　1)具有碩士學(xué)歷，或者具有本科學(xué)歷及4年以上半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域的工作經(jīng)歷；年齡一般不超過(guò)35周歲；

　　2)具有半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域的研究或技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，和相應(yīng)崗位所需的技術(shù)能力；

　　3)具有較強(qiáng)的團(tuán)隊(duì)合作意識(shí)、責(zé)任心和獨(dú)立開(kāi)展工作的能力；

　　4)具有扎實(shí)的專業(yè)基礎(chǔ)知識(shí)和實(shí)驗(yàn)技能，良好的英語(yǔ)讀寫(xiě)能力；

　　5)動(dòng)手能力強(qiáng)，認(rèn)真細(xì)心，踏實(shí)肯干，善于溝通。

　　2．薪酬待遇：

　　1)薪資：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所為國(guó)家級(jí)單位，根據(jù)崗位職級(jí)提供有競(jìng)爭(zhēng)力的薪酬待遇（工資+績(jī)效獎(jiǎng)勵(lì)）。

　　2)福利：享受五險(xiǎn)一金（含公積金）、午餐補(bǔ)貼、工會(huì)福利、職工體檢等。

　　四、應(yīng)聘方式

　　請(qǐng)應(yīng)聘者將個(gè)人簡(jiǎn)歷及相關(guān)證明材料通過(guò)郵件，以重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室+崗位+姓名為主題發(fā)送至郵箱：xren2011@sinano.ac.cn。我們將以郵件或電話的方式通知通過(guò)初選的應(yīng)聘者參加線上面試和現(xiàn)場(chǎng)面試。聯(lián)系人：任老師，聯(lián)系電話：0512-62872758。

　　【本招聘信息長(zhǎng)期有效】。