崗位1：博士后2名

崗位2：實(shí)驗(yàn)輔助人員1名

太赫茲器件與應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室瞄準(zhǔn)國家在太赫茲波技術(shù)領(lǐng)域的重大需求，開展太赫茲/亞毫米波器件的底層關(guān)鍵技術(shù)研究和應(yīng)用研究。具體圍繞6g太赫茲通信、雷達(dá)成像、等離子體診斷、安檢和工業(yè)無損檢測等應(yīng)用場景，研究高靈敏度混頻探測器等器件物理、高效高功率倍頻與功率放大電路、相干接收機(jī)陣列和有源相控陣等關(guān)鍵技術(shù)。器件與電路研究涉及第三代半導(dǎo)體氮化鎵高電子遷移率晶體管、肖特基勢壘二極管等核心器件及其單片集成電路的設(shè)計、仿真、制造和測試驗(yàn)證，應(yīng)用技術(shù)研究包括太赫茲/亞毫米波組件的集成、光機(jī)電集成、電子信息軟硬件系統(tǒng)和現(xiàn)場試驗(yàn)等。

實(shí)驗(yàn)室根據(jù)項(xiàng)目需要，近期擬招聘以下崗位科研人員。

崗位1職責(zé)：太赫茲/亞毫米波器件與應(yīng)用組件研究

崗位1要求：

(1)博士學(xué)位；

(2)具有較強(qiáng)的微波電磁場、半導(dǎo)體物理或器件物理基礎(chǔ)理論知識；

(3)具有毫米波/太赫茲探測器相關(guān)研究經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先考慮；

(4)具有較強(qiáng)的團(tuán)隊(duì)合作意識，善于溝通，認(rèn)真負(fù)責(zé)，實(shí)踐能力強(qiáng)。

崗位2職責(zé)：氮化鎵器件工藝技術(shù)開發(fā)

崗位2要求：

(1)大專及以上學(xué)歷；

(2)具有一定的半導(dǎo)體物理、材料或半導(dǎo)體器件等基礎(chǔ)知識；

(3)具有g(shù)an基電子器件等相關(guān)工藝經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先考慮；

(4)具有較強(qiáng)的團(tuán)隊(duì)合作意識，善于溝通，認(rèn)真負(fù)責(zé)，動手能力強(qiáng)。

崗位待遇：

(1)中科院蘇州納米所為國家級事業(yè)單位，根據(jù)崗位職級提供有競爭性的薪酬待遇。

(2)具有博士學(xué)歷的聘用人員可列入中科院特別研究助理（博士后），固定薪酬28萬元，外加績效等獎勵。特別優(yōu)秀者可獲得30萬人才津貼（江蘇省卓越博士），獲批中科院特別研究助理項(xiàng)目、所“優(yōu)秀博士后”可獲得12萬人才津貼。業(yè)績突出者，博士后出站后可以優(yōu)先留所工作。園區(qū)工作站博士后，出站后在蘇州購房可獲30萬元安家補(bǔ)貼。

(3)本科及以上學(xué)歷，蘇州工業(yè)園區(qū)提供優(yōu)租房。

應(yīng)聘方式：

1.報名截止時間為：招滿為止。

2.請應(yīng)聘者將個人簡歷等（包括研究工作總結(jié)，發(fā)表論文，推薦聯(lián)系人等）以“姓名+博后/實(shí)習(xí)研究員應(yīng)聘+今日招聘網(wǎng)jrzp.com”為主題發(fā)送至hqin2007@sinano.ac.cn。

3.將電話或e-mail通知初選合格者參加面試。

4.參加面試初審者需提供：1）學(xué)歷、學(xué)位證書及復(fù)印件；2）專家推薦信和其他可以證明本人能力及水平的相關(guān)資料等。

信息來源于網(wǎng)絡(luò)，如有變更請以原發(fā)布者為準(zhǔn)。

來源鏈接：

http://www.sinano.cas.cn/rczp/kyzp/202304/t20230413_6738150.html

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